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口頭

前駆体の溶出による炭化珪素膜のガス透過量の向上

武山昭憲; 杉本雅樹; 吉川正人

no journal, ,

多孔質アルミナ管表面に炭化珪素(SiC)前駆体をコーティングし、溶媒に浸した後、焼成してSiC緩衝層を形成した。続いてこの緩衝層上にSiC薄膜を形成し、水素透過膜を作製した。溶媒に浸さずに形成した緩衝層を用いた場合、250 $^{circ}$ Cにおける水素透過膜の分離比(水素/窒素比)は4.2であったが、溶媒に浸した緩衝層を用いると最大7.2の分離比が得られ、また水素透過量も増加することがわかった。